- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】源/漏極(source/drain)的形成步驟可分為那些?
答案：
①LDD的離子注入（Implant）；
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高濃度源/漏極（S/D...
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高濃度源/漏極（S/D...
你可能感興趣的試題
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】何謂 Gate oxide （柵極氧化層）？
答案：
用來(lái)當(dāng)器件的介電層，利用不同厚度的 gate oxide ,可調(diào)節(jié)柵極電壓對(duì)不同器件進(jìn)行開...
