A.有效柵寬變窄B.電流減少C.電容增加D.電阻增大
A.選擇合適的掩蔽膜B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進(jìn)行局部氧化C.退火D.高壓氧化工藝
A.95度B.90度C.80度D.75度