已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
A.1，100B.0.5，50C.1，50D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25B.4，6C.3，7D.3.25，5
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