A.時(shí)鐘信號(hào)、DDR等關(guān)鍵信號(hào)內(nèi)層布線、加大與其它信號(hào)線間距、線間屏蔽隔離設(shè)計(jì);換層時(shí)保證信號(hào)孔周圍200mil內(nèi)有GND回流孔 B.數(shù)模電路布線隔離,避免數(shù)模間相互干擾 C.GND平面相對(duì)于電源平面內(nèi)縮至少20mil D.板邊、及板內(nèi)開窗區(qū)域板邊均勻打GND孔設(shè)計(jì),孔間距小于100mil
A.開關(guān)電源是EMI產(chǎn)生的重要源頭,開關(guān)電源模塊遠(yuǎn)離模擬電路布局;大面積電源時(shí)建議統(tǒng)一放在電路板的一側(cè)布局 B.電感線圈是接收和發(fā)射磁場(chǎng)的器件,布局位置遠(yuǎn)離EMI源,避免線圈下方布高速信號(hào)及敏感控制線 C.晶體、晶振就近對(duì)應(yīng)的IC布局,避免時(shí)鐘走線過長(zhǎng)引起不必要的EMI D.時(shí)鐘、高速電路、總線驅(qū)動(dòng)電路遠(yuǎn)離敏感器件,推薦布局在板邊位置
A.基于信號(hào)流向、關(guān)鍵信號(hào)和高頻信號(hào)連線最短設(shè)計(jì) B.區(qū)域分割,不同功能類型的電路布局在不同的區(qū)域(如數(shù)字電路、模擬電路、接口電路、時(shí)鐘電源) C.數(shù)模轉(zhuǎn)換電路布局在數(shù)字區(qū)和模擬區(qū)的交接處 D.拉大干擾源和受擾體的空間間距