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問答題

【計算題】
摻施主雜質(zhì)N_D=10¹⁶cm^-3硅樣品，少子壽命τ_p=10μs，在均勻光的照射下產(chǎn)生非平衡載流子，其產(chǎn)生率g=10¹⁹/cm³·s，設(shè)本征載流子濃度n_i=10¹³cm^-3。
1）分別計算無光照和有光照時的電導(dǎo)率。
2）試計算室溫時無光照情況下的費米能級；
3）試計算室溫時有光照情況下的費米能級；
4）請圖示比較兩種情況下的費米能級的不同。

答案：

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【計算題】
已知鍺原子的濃度為4.4×10²²/cm³。
1）溫度為300K時，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，μ_n=3900cm²/V·s，μ_p=1900cm²/V·s。試求本征載流子濃度。
2）若摻入銻雜質(zhì)，使每個鍺原子中有一個雜質(zhì)原子，計算300K時電子濃度和空穴濃度。
3）若假設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該摻雜鍺樣品的電阻率。
4）若流過該樣品的電流密度為100mA/cm²，求所加的電場強度。

答案：

【簡答題】簡述霍爾效應(yīng)及應(yīng)用。

答案：將通有電流的半導(dǎo)體放于均勻的磁場中，并使磁場方向垂直于電流方向，在垂直于磁場和電流的方向上產(chǎn)生橫向電場，這個現(xiàn)象稱為霍耳...