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問答題
【計算題】
設晶格常數(shù)為a的一維晶格，導帶極小值附近能量Ec（k）和價帶極大值附近能量Ev（k）分別為：
（1）禁帶寬度；
（2）導帶底電子有效質量；
（3）價帶頂電子有效質量；
（4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化。
答案：
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問答題
【簡答題】以Si在GaAs中的行為為例，說明IV族雜質在III-V族化合物中可能出現(xiàn)的雙性行為。
答案：
Si取代GaAs中的Ga原子則起施主作用；Si取代GaAs中的As原子則起受主作用。導帶中電子濃度隨硅雜質濃度的增加而增...
