如圖,平板電容器(忽略邊緣效應(yīng))充電時(shí),沿環(huán)路L1,L2磁場強(qiáng)度H的環(huán)流中,必有()
A.A B.B C.C D.D
磁介質(zhì)有三種,用相對磁導(dǎo)率μr表征它們各自的特性時(shí)()
A.比真空的磁導(dǎo)率略小 B.比真空的磁導(dǎo)率略大 C.遠(yuǎn)小于真空的磁導(dǎo)率 D.遠(yuǎn)大于真空的磁導(dǎo)率