填空題

CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

答案： 針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N
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