問答題

【簡答題】消除“Latch-up”效應的方法？

答案：版圖設計時：為減小寄生電阻Rs和Rw，版圖設計時采用雙阱工藝、多增加電源和地接觸孔數目，加粗電源線和地線，對接觸進行合理...

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【簡答題】什么是MOS晶體管的閂鎖效應，其對晶體管有什么影響?

答案：在單阱工藝的MOS器件中（P阱為例），由于NMOS管源與襯底組成PN結，而PMOS管的源與襯底也構成一個PN結，兩個PN...

【簡答題】什么是MOS晶體管的有源寄生效應？

答案： MOS晶體管的有源寄生效應是指MOS集成電路中存在的一些不希望的寄生雙極晶體管、場區(qū)寄生MOS管和寄生PNPN（閂鎖效應...

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