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問答題
【簡(jiǎn)答題】比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
答案:
砷化鎵和磷化銦等襯底為半絕緣體,硅襯底為半導(dǎo)體。因此,硅襯底上電感有襯底損耗電阻和電容。
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【簡(jiǎn)答題】試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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【計(jì)算題】利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知C
ox
=5×10
-4
pF/μm
2
,估算柵極電容。
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