問答題

【簡答題】Poly(多晶硅)柵極的刻蝕(etch)要注意哪些地方?

答案: ①Poly 的CD(尺寸大小控制;
②避免Gate oxie 被蝕刻掉,造成基材...
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【簡答題】Poly(多晶硅)柵極形成的步驟大致可分為那些?

答案: ①Gate oxide(柵極氧化層)的沉積;
②Poly film的沉積及SiON(在光刻...
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【簡答題】一般的離子注入層次(Implant layer)工藝制造可分為那幾道步驟?

答案: 一般包含下面幾道步驟:
①光刻(Photo)及圖形的形成;
②離子注入調整;
③離子注入完...
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