首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
判斷題
制備多晶硅之前先做一層薄氧,這層薄氧是柵氧。
答案:
錯誤
點擊查看答案解析
在線練習(xí)
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
判斷題
制作場氧區(qū)的時候,氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時的掩蔽層。
答案:
正確
點擊查看答案解析
手機(jī)看題
判斷題
采用雙阱工藝,可以實現(xiàn)PMOS和NMOS的獨立控制。
答案:
正確
點擊查看答案解析
手機(jī)看題
微信掃碼免費搜題