判斷題

制備多晶硅之前先做一層薄氧,這層薄氧是柵氧。

答案: 錯誤
題目列表

你可能感興趣的試題

判斷題

采用雙阱工藝,可以實現(xiàn)PMOS和NMOS的獨立控制。

答案: 正確
微信掃碼免費搜題