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填空題
圓筒式等離子刻蝕的(),適用于()工藝;反應(yīng)離子刻蝕,(),可以用通入不同的工藝氣體,實(shí)現(xiàn)好的選擇性,適合于對()和()的刻蝕。
答案:
方向性差,刻蝕速率慢,過刻蝕性能好;去膠;方向性好,刻蝕速率高;SiO
2
、Al、Si
3
N
4
;多晶硅
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填空題
干法刻蝕的終點(diǎn)檢測有許多方法,通常采用的是()終點(diǎn)檢測方法。
答案:
殘余氣體質(zhì)譜分析、等離子室光發(fā)射譜分析和激光干涉
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問答題
【簡答題】實(shí)用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件?
答案:
1.反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的;
2.選擇比率高;
3.刻蝕速率快;
4.具有好的終點(diǎn)靈敏性;
5.有好的各向異性刻蝕速率。
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