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單項(xiàng)選擇題

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

A.1.4
B.1.0
C.1.2
D.以上都不可能

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單項(xiàng)選擇題

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

A.金剛石
B.閃鋅礦
C.體心
D.面心

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

答案：錯(cuò)誤

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