A.REN B.RI C.REN和RI D.TR
A.只能位于內(nèi)部RAM低128B字節(jié)范圍內(nèi) B.可位于內(nèi)部RAM低256字節(jié)范圍內(nèi) C.可位于內(nèi)部ERRAM內(nèi) D.可位于內(nèi)部RAM或外部RAM內(nèi)
A.高電平 B.低電平 C.脈沖 D.下降沿