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問答題
【計算題】確定在1200℃時，由SiCl4源生長的外延層的生長速率。反應(yīng)室的氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)是hG=5cm/s，表面反應(yīng)速率常數(shù)為KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反應(yīng)溫度降低2℃，生長速率將變化多少？
答案：
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問答題
【簡答題】為什么使用外延生長難以得到突變結(jié)？
答案：
通常希望外延層和襯底之間界面處的摻雜濃度梯度很陡，但是由于高溫下進(jìn)行外延生長，襯底中的雜質(zhì)會進(jìn)入外延層，使得外延層和襯底...
