- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問(wèn)答題
【計(jì)算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度Eg≈1.12eV，價(jià)帶頂空穴和導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量之比m*p/m*n≈0.55，導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度NC≈2.8*1019/cm3，kT≈0.026eV。試計(jì)算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費(fèi)米能級(jí)Ei；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為1016/cm3的n型單晶硅的費(fèi)米能級(jí)EF。
答案：
1）純凈單晶硅的本征費(fèi)米能級(jí)Ei.
