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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】給出一管單元DRAM的原理圖，并給出版圖。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】對(duì)1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為1和0時(shí)單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

答案：

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】
給出三管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫(huà)出X和BL1波形，并大致標(biāo)出電壓值。（選作）試問(wèn)有什么辦法提高refresh time？

答案：

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