問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】一個(gè)8K×8位的動(dòng)態(tài)RAM芯片，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)排列成256×256形式，存取周期為0.1μs。試問(wèn)采用集中刷新、分散刷新和異步刷新三種方式的刷新間隔各為多少？

答案：采用分散刷新方式刷新間隔為：2ms，其中刷新死時(shí)間為：256×0.1μs=25.6μs
采用分散刷...

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線選法：地址譯碼信號(hào)只選中同一個(gè)字的所有位，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，...

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答案：刷新：對(duì)DRAM定期進(jìn)行的全部重寫(xiě)過(guò)程；
刷新原因：因電容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰減需要及時(shí)補(bǔ)充，因此安...