A.SOP B.BCD C.BMOS D.CMOS E.BiMOS F.BCG
A.漏電流增大導致總功耗增加 B.柵極氧化膜厚度接近物理極限 C.電路規(guī)模增大導致動態(tài)功耗增加 D.配線延遲不能相應降低從而影響性能