A.實(shí)現(xiàn)N阱和P阱獨(dú)立控制B.更平坦的表面C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響D.抑制閂鎖效應(yīng)
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.單晶硅