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【計算題】一截面為0.6cm
2
,長為1cm的n型GaAs樣品,設(shè)μ
n
=8000cm
2
/V.s,n=10
15
cm
3
,試求該樣品的電阻。
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問答題
【計算題】設(shè)電子遷移率為0.1cm
2
/V.s,硅的電子有效質(zhì)量m
cn
=0.26m
0
,如加以強度為10
4
V/m的電場,試求平均自由時間和平均自由程。
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問答題
【計算題】在500g的硅單晶中摻有4.5×10
-5
g的硼,設(shè)雜質(zhì)全部電離,求該材料的電阻率(設(shè)μ
p
=400cm
2
/V.s),硅單密度為2.33g/cm
3
,硼的原子量為10.8)。
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