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問答題

【簡答題】SiO₂作為保護膜時為什么需要采用低溫工藝？目前低溫SiO₂工藝有哪些方法？它們降低制備溫度的原理是什么？

答案：

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【簡答題】薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率非常慢，因此常作為硅片定域KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率快。怎樣才能用已淀積的PECVD氮化硅薄膜作為KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜？

答案： PECVD氮化硅薄膜含H、質(zhì)地疏松，抗KOH水溶液中的腐蝕性能差。可通過高溫退火，使H逸出，薄膜致密化，從而提高抗腐蝕性...

【計算題】在p-Si中擴磷13分鐘，測得結(jié)深為0.5μm，為使結(jié)深達到1.5μm，在原條件下還要擴散多長時間？然后，進行濕氧化，氧化層厚0.2μm時，結(jié)深是多少？（濕氧速率很快，短時間的氧化，忽略磷向硅內(nèi)部的推進）

答案：

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