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【簡答題】Al膜制備方法有?
答案:
電阻加熱蒸發(fā)法、電子束蒸發(fā)法、濺射法
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【簡答題】IC對金屬材料特性有何要求?
答案:
1、與n+、p+硅或多晶硅形成低阻的歐姆接觸(接觸電阻?。?,利于提高電路速度,
2、抗電遷移性能好,長時(shí)間在較...
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【簡答題】何謂氧化增強(qiáng)擴(kuò)散,發(fā)散區(qū)推進(jìn)效應(yīng)?產(chǎn)生機(jī)理是什么?
答案:
在熱氧化過程中原存在硅內(nèi)的某些摻雜原子顯現(xiàn)出更高的擴(kuò)散性,稱為氧化增強(qiáng)擴(kuò)散。機(jī)理:氧化誘生堆垛層錯(cuò)產(chǎn)生大量自填隙Si,間...
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