動態(tài)隨機(jī)存取存儲、器和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。
生長緩沖層、溝道區(qū)注入、離子注入、CVD工藝淀積多晶硅、多晶硅摻雜、光刻和刻蝕形成多晶硅柵的圖形。
時鐘信號為低電平的時間必須大于電路的上升時間。