問(wèn)答題

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答案: 集電極C電壓受到限制,須接地;
基區(qū)寬度WB沒(méi)有很好控制,電流增益差別較大;
結(jié)構(gòu)上的兩個(gè)主要參數(shù):...
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多晶硅-擴(kuò)散區(qū)電容、多晶硅-多晶硅電容、MOS電容、夾心電容

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答案:

MOS電容大小取決于面積、氧化層的厚度、氧化層的介電常數(shù)

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