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問答題
【簡答題】說明用硅材料采用CMOS工藝可形成哪些元件、電路形式以及可達(dá)到的電路規(guī)模？
答案：
可形成D、N/P-MOS、R、C、L元件、可以形成CMOS或SCL電路形式、可達(dá)到ULSI和GSI的電路規(guī)模
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問答題
【簡答題】離子注入法有哪些優(yōu)點(diǎn)？
答案：
摻雜的過程可通過調(diào)整雜質(zhì)劑量及能量來精確控制雜質(zhì)分布，可進(jìn)行小劑量和極小深度的摻雜較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜可供...
問答題
【簡答題】摻雜的目的是什么？摻雜在何時(shí)進(jìn)行？慘雜方法有哪幾種？
答案：
改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型，形成N型層或P型層，以形成雙極型晶體管及各種二極管的PN結(jié)，或改變材料電導(dǎo)率；摻雜可與外延生長同時(shí)...
