氧化層的厚度決定了晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力和可靠性,其精度必須控制在幾個(gè)百分點(diǎn)以內(nèi)。
利用硅獨(dú)有的特性制造薄到幾十埃(只有幾個(gè)原子層)的柵氧化層
掩膜與晶圓不接觸的光刻方式,分為接近式和投影式兩種