問答題

【簡答題】一個MOS管的正常導電特性可分為幾個區(qū)域？

答案：

夾斷、線性、飽和
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問答題

【簡答題】MOS管的IDS大小除與源漏電壓和柵極電壓有關外，還與哪些因素有關？
答案：

源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數、載流子的遷移率
問答題

【簡答題】為什么說MOS晶體管是一種電壓控制器件？
答案： 當柵源電壓VGS等于開啟電壓VT時，器件開始導通，當源漏間加電壓VDS且VGS=VT時，由于源漏電壓和柵-襯底電壓而分別...
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