問答題

【簡答題】對NMOS晶體管,注入何種雜質使閾值電壓增加或降低?

答案:

P型雜質增加、N型雜質降低。

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答案: 引起溝道區(qū)產生強表面反型的最小柵電壓,稱為閾值電壓VT。往往用離子注入技術改變溝道區(qū)的摻雜濃度,從而改變閾值電壓。夾斷電...
問答題

【簡答題】簡述MOS管的導電溝道是如何形成的。

答案:

是P和N半導體相互浸入形成的。
如果外部不加控制電壓就有導電溝道的是耗盡型
如果需要外部加控制電壓才有導電溝道的是增強型。

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