是指不同質的幾種半導體(GaAs與AlGaAs,Si與SiGe等)組成的層結構
由一些基本材料,如在Si,GaAs或InP制成的襯底上或襯底內,用其它物質再生成一層或幾層材料。
柵極、源極與漏極(或雙極器件的基區(qū)與發(fā)射區(qū))的歐姆接觸、基本連線、薄PN結的擴散源、高值電阻等