A、質量較大的原子組成的半導體中的空穴 B、價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴 C、價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴 D、自旋-軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴
A、Wms=0 B、Wms<0 C、Wms>0 D、阻值較小并且有對稱而線性的伏-安特性
A、散射機構; B、復合機構; C、雜質濃度梯度; C、表面復合速度。