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單項(xiàng)選擇題

鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）

A.金剛石型和直接禁帶型
B.閃鋅礦型和直接禁帶型
C.金剛石型和間接禁帶型
D.閃鋅礦型和間接禁帶型

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單項(xiàng)選擇題

不考慮表面態(tài)的影響，如需在n型硅上做歐姆電極，以下四種金屬中最適合的是（）。

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

單項(xiàng)選擇題

金屬-SiO₂-p型Si構(gòu)成的MIS結(jié)構(gòu)中，SiO₂中分布的可動(dòng)正電荷不會(huì)影響（）。

A.半導(dǎo)體表面勢(shì)
B.平帶電壓
C.平帶電容
D.器件的穩(wěn)定性

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