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問答題
【簡答題】為什么半導體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質量的空穴來描述？
答案：
空穴是一個假想帶正電的粒子，在外加電場中，空穴在價帶中的躍遷類比當水池中氣泡從水池底部上升時，氣泡上升相當于同體積的水隨...
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問答題
【簡答題】以硅的本征激發(fā)為例，說明半導體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結構的聯系，為什么電子從其價鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導體的禁帶寬度？
答案：
沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因為電子要擺脫束縛就能從價帶躍遷到導帶，這個時候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。
問答題
【簡答題】從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質量將如何變化？外場對電子的作用效果有什么不同；
答案：
在能帶底附近，電子的有效質量是正值，在能帶頂附近，電子的有效質量是負值。在外電F作用下，電子的波失K不斷改變，dkfhd...
