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CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的,屬于絕緣介質(zhì)隔離。
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STI技術(shù)相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
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光刻時(shí),必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn),可以采用仔細(xì)觀察的方法。
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