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高溫下,硅片與高純水蒸氣反應(yīng)生成SiO2的過(guò)程。

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高溫下,氧氣與硅片反應(yīng)生成SiO2的過(guò)程。

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答案:

即間隙式雜質(zhì),如Na,K,Pb,Ca,Ba,Al等。

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