氧化層下面產(chǎn)生的電荷,它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的。
氧化層-半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許電子能態(tài)。
由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間。