問答題

【簡答題】半導體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型

答案： APCVD：常壓化學氣相淀積
LPCVD: 低壓化學氣相淀積 &e...

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過刻蝕

答案：刻蝕薄膜時，晶圓內(nèi)的刻蝕速率和薄膜厚度并不完全均勻，主刻蝕后，會有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的過程稱為過刻蝕。

負載效應(yīng)

答案：等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓。