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問答題

【計(jì)算題】硅P－N結(jié)的N區(qū)施主濃度為1×10¹⁵cm^-3，τ_h=1μs；P區(qū)受主濃度為6×10¹⁷cm^-3，τ_e=5μs；D_h=1.3×10^-3m²/s，D_e=3.5×10^-3m²/s，試計(jì)算室溫下空穴電流與電子電流之比j_h/j_e，飽和電流密度j₀以及在正向偏壓0.3V時(shí)，流過P－N結(jié)的電流密度j。

答案：

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【計(jì)算題】已知施主濃度為1×10¹⁸cm^－3，受主濃度為5×10¹⁶cm^－3，試分別求出鍺、硅材料在室溫下的接觸電勢(shì)差。

答案：

【計(jì)算題】設(shè)空穴的濃度呈線性分布，在3μm內(nèi)濃度差為1×10¹⁵cm^－3，遷移率為400cm²/（V·s），試計(jì)算室溫下的空穴擴(kuò)散電流密度j_h。

答案：