問答題

【簡答題】耗盡型負載nMOS反相器相比于增強型負載nMOS反相器有哪些好處？

答案：耗盡型負載nMOS反相器的制造工藝更加復(fù)雜，但可以有陡峭的VTC過渡和更好的噪聲容限，并且是單電源供電，整體的版圖面積也...

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【簡答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負載器件有哪些優(yōu)點？

答案：采用負載電阻會占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負載電阻小，并且有源負載反相器電路比無源負載反相器有更好的...

【簡答題】為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？

答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強度增加，電流隨之增大，...