問答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述干氧氧化與濕氧氧化各自的特點(diǎn),通常用哪種工藝制備較厚的二氧化硅層?

答案: 干氧氧化:(優(yōu))結(jié)構(gòu)致密,表面平整光亮;對(duì)雜質(zhì)掩蔽能力強(qiáng);鈍化效果好;生長均勻性、重復(fù)性好;表面對(duì)光刻膠的粘附好,(缺)...
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答案: 對(duì)晶體進(jìn)行離子注入時(shí),當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個(gè)晶向平行時(shí),一些離子將沿溝道運(yùn)動(dòng),受到的核阻止作用很小,而且溝道中的...
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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述離子注入工藝中退火的主要作用?

答案: 由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團(tuán),增加了散射中心及陷阱能級(jí),使遷移率和壽命等半導(dǎo)體參數(shù)下降。此外,大部分的離子在被注入...
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