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在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟:預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。
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晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對準(zhǔn)技術(shù),一次摻雜成功。
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在晶片制造中,有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素,即熱擴(kuò)散和離子注入。
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