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判斷題

干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。

答案：正確

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各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕。

答案：錯(cuò)誤

光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。

答案：正確