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20世紀(jì)90年代初期使用的第一臺(tái)CMP設(shè)備是用樣片估計(jì)拋光時(shí)間來(lái)進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)的。
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判斷題
CMP帶來(lái)的一個(gè)顯著的質(zhì)量問(wèn)題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點(diǎn)檢測(cè)方法是光學(xué)干涉終點(diǎn)檢測(cè)。
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