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單項(xiàng)選擇題

?測(cè)量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.可以用示波器DC耦合方式測(cè)量
B.可以用數(shù)字萬(wàn)用表直流電壓檔測(cè)量
C.可以用晶體管毫伏表測(cè)量
D.可以用其它合適的直流電壓表測(cè)量

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單項(xiàng)選擇題

?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。

A.UGS>UGS（th），UDS>UGS -UGS（th）
B.UGS>UGS（th），UDS< UGS -UGS（th）
C.UGS< UGS（th），UDS>UGS -UGS（th）
D.UGS< UGS（th），UDS< UGS -UGS（th）

單項(xiàng)選擇題

某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF，信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω，測(cè)試幅頻特性的過(guò)程中，如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整，如下說(shuō)法正確的是（）。

A.實(shí)測(cè)時(shí)可以測(cè)得截止頻率是3kHz左右
B.實(shí)測(cè)時(shí)可以測(cè)得截止頻率是1.6kHz左右
C.實(shí)測(cè)時(shí)可以測(cè)得截止頻率是16kHz左右
D.實(shí)測(cè)時(shí)可以測(cè)得截止頻率將在11kHz左右

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?測(cè)量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

你可能感興趣的試題

?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。

某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF，信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω，測(cè)試幅頻特性的過(guò)程中，如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整，如下說(shuō)法正確的是（）。

?測(cè)量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

?N溝道增強(qiáng)型MOSFET工作在恒流區(qū)的條件是（）。

某RC低通濾波器的參數(shù)是R=100Ω、C=0.1μF，信號(hào)源內(nèi)阻是50Ω，測(cè)試幅頻特性的過(guò)程中，如果對(duì)信號(hào)的幅度不做任何調(diào)整，如下說(shuō)法正確的是（）。