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填空題
在InP中也電子線照射缺陷一致的方向,注入()以促進()的所謂DLTS的方法得到的結果。
答案:
電流;阿尼爾現(xiàn)象
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填空題
由于大多數(shù)化合物半導體的能帶結構都是(),因此不像間接躍遷的Si那樣容易產(chǎn)生太陽能電池特性的放射線()現(xiàn)象。
答案:
直接躍遷;衰退
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填空題
InP電池片的轉(zhuǎn)換效率是()。
答案:
2.5%
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