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工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有()和區(qū)熔法(FZ法)
答案:
直拉單晶法(CZ法或切克勞斯基法)
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填空題
晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種,其中酸性蝕刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸當緩沖劑,一般去除約10-20µm厚的表面層。
答案:
氫氟酸
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填空題
目前多晶硅原料的制備方法主要有三氯氫硅法(改良西門子法)和()兩種方法。
答案:
硅烷法
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