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面積為10cm
2
的硅太陽能電池在100mw/cm
2
光照下,開路電壓為600mV,短路電流為400mA,填充因子為0.8,則此硅太陽能電池的最大光電轉換效率為()
A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
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單項選擇題
考慮一個特殊的半導體樣品,通過計算,已知少子輻射復合壽命為150μs,俄歇復合壽命為50μs,陷阱復合過程的壽命為25μs,假設沒有其它的有效復合過程,那么該材料少子的凈壽命是()
A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs
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單項選擇題
在大同地區(qū)(北緯40.1°,東京113.3°)建一太陽能光伏電站,若所用太陽能電池板方陣高度為2m,方陣最佳傾斜角為45°,則兩排方陣之間的最小距離為()
A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m
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