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問答題

【論述題】簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

答案：生長過程：①傳輸：反應物從氣相經邊界層轉移到Si表面；②吸附：反應物吸附在Si表面；③化學反應：在Si表面進行化學反應，...

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【論述題】簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

答案： APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

【論述題】CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？

答案： CVD過程包括兩個部分：一、反應劑在邊界層中的輸運二、反應劑在襯底表面的化學反應存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...

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