爐溫(爐上、爐下)、炭層高度(空程)、氣體成份、灰渣數(shù)量及質(zhì)量、氣柜高度、氣化層位置。
三氧化二鋁、二氧化硅高了灰熔點(diǎn)高,三氧化二鐵、氧化鎂、氧化鈣高了灰熔點(diǎn)低。